深圳市賽佰斯科技有限公司

2MBI150VA-060-50

電壓:600 V
電流:150 A
封裝:M263
長(zhǎng)度:94 mm
寬度:34 mm
高度:30 mm
產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品概述

IGBT 模塊,2 個(gè)裝,F(xiàn)uji Electric V - 系列,第 6 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊 U/U4 系列,第 5 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊 S - 系列,第 4 代 NPT IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)uji Electric 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


IGBT 模塊,2 個(gè)裝,F(xiàn)uji Electric


V - 系列,第 6 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊


U/U4 系列,第 5 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊


S - 系列,第 4 代 NPT


### IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)uji Electric


絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


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