深圳市賽佰斯科技有限公司

SEMIX453GB12E4P

電壓:1200 V
電流:450 A
封裝:SEMiX?3p
長(zhǎng)度:150 mm
寬度:62 mm
高度:17 mm
產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品概述

SEMiX? 雙 IGBT 模塊 Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現(xiàn)代薄型 SEMiX? 封裝,適用于半橋電源控制應(yīng)用。 該模塊使用無(wú)焊接彈簧或壓配安裝觸點(diǎn),允許柵極驅(qū)動(dòng)器直接安裝在模塊頂部,可節(jié)省空間,且可提供更大的連接可靠性。 典型應(yīng)用包括交流反相器驅(qū)動(dòng)器、UPS、電子焊接和可再生能源系統(tǒng)。 有關(guān)合適的壓配柵極驅(qū)動(dòng)器模塊,請(qǐng)參見 122-0385 至 122-0387 ? 薄型無(wú)焊接安裝封裝 ? Trenchgate 技術(shù) IGBT ? VCE(sat) 具有正溫度系數(shù) ? 高短路電流能力 ? 壓配引腳可用作輔助觸點(diǎn) ? UL 認(rèn)證 ### IGBT 模塊,Semikron 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


SEMiX? 雙 IGBT 模塊


Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現(xiàn)代薄型 SEMiX? 封裝,適用于半橋電源控制應(yīng)用。 該模塊使用無(wú)焊接彈簧或壓配安裝觸點(diǎn),允許柵極驅(qū)動(dòng)器直接安裝在模塊頂部,可節(jié)省空間,且可提供更大的連接可靠性。 典型應(yīng)用包括交流反相器驅(qū)動(dòng)器、UPS、電子焊接和可再生能源系統(tǒng)。


有關(guān)合適的壓配柵極驅(qū)動(dòng)器模塊,請(qǐng)參見 122-0385 至 122-0387


? 薄型無(wú)焊接安裝封裝


? Trenchgate 技術(shù) IGBT


? VCE(sat) 具有正溫度系數(shù)


? 高短路電流能力


? 壓配引腳可用作輔助觸點(diǎn)


? UL 認(rèn)證


### IGBT 模塊,Semikron


絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


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