深圳市賽佰斯科技有限公司

SKM300GB125D

電壓:1200 V
電流:300 A
封裝:Semitrans3-56
長(zhǎng)度:106.4 mm
寬度:62 mm
高度:30.5 mm
產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品概述

IGBT 模塊 SEMIKRON 提供 IGBT(絕緣柵級(jí)雙極性晶體管)模塊,采用具有不同拓?fù)?、電流和電壓額定值的 SEMITRANS 和 SEMITOP 封裝。 ### IGBT 模塊,Semikron 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


雙 IGBT 模塊


Semikron SEMITOP? IGBT 模塊包含兩個(gè)串聯(lián)(半橋)IGBT 設(shè)備。該模塊提供各種電壓和電流額定值,且適用于各種功率切換應(yīng)用,如交流變頻電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源。


緊湊型 SEMITOP? 封裝


適用于高達(dá) 12kHz 的切換頻率


絕緣銅基板使用直接粘結(jié)技術(shù)


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