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英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析

發(fā)表時(shí)間:2022-03-09 09:24

英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析:

IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定

--IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;

--IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;

--流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流;

--IGBT的結(jié)溫。


英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析.png


如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值,IGBT都可能會(huì)永久性損壞。

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